В настоящий момент в базе находятся следующие задачи. Задачи, помеченные светло-зеленым цветом, можно купить. Базовая цена 30 руб. Подробней об оплате
5-300. Оценить, какую долю постоянной решетки а = 5,8 А твердого криптона (А = 84) составляет амплитуда колебаний атомов при температуре плавления Т = 117 К. Дебаевская температура криптона Q = 57 К. | 30 руб. | none |
5-301. Используя аналогию между фотонами и длинноволновыми фононами, выразить низкотемпературную решеточную теплоемкость кристаллов через скорости поперечного и продольного звуков st и sl. | 30 руб. | none |
5-302. Найти температурную зависимость решеточной теплоемкости одномерных (С1) и двумерных (С2) кристаллов в области низких температур. | 30 руб. | none |
5-303. Удельная теплоемкость решетки пирографита (одной из модификаций углерода) зависит от температуры как Т2, а не как Т3, что обычно имеет место для твердых тел. Что можно сказать о структуре этой специфичной фазы углерода? | 30 руб. | купить |
5-304. В кристалле поваренной соли NaCl при температуре Т = 10 К теплоемкость единицы объема СV = 830•10-4 Дж/(м3•К). Оценить скорость звука в кристалле и его дебаевскую температуру. Постоянная решетки NaCl равна а = 0,3 нм. | 30 руб. | none |
5-305. Температура Дебая у алмаза равна 2000 К. Какова его удельная теплоемкость при температуре Т = 30 К? | 30 руб. | none |
5-306. Какова удельная теплоемкость цинка при 100°С? Температура Дебая Q = 330 К. | 30 руб. | none |
5-307. Одинаковые массы свинца 207Рb и кремния 28Si охлаждают с помощью жидкого гелия (температура кипения гелия равна при нормальном давлении 4,2 К) от температуры Т1 = 20 К до Т2 = 4,2 К. Оценить отношение масс жидкого гелия, необходимых для охлаждения свинца и кремния, если известно, что дебаевские температуры равны: Q(Рb) = 95 К и Q(Si) = 645 К. Теплоемкостью электронов пренебречь. | 30 руб. | купить |
5-308. Определить в дебаевской модели отношение теплоемкостей образцов Be и Сu одинакового объема при Т = 300 К. Плотности бериллия и меди соответственно равны 1,8•103 и 8,9•103 кг/м3, температуры Дебая 1440 К и 340 К. | 30 руб. | none |
5-309. При комнатной температуре средняя длина свободного пробега фононов в кристалле хлористого натрия в 4 раза больше постоянной его решетки d = 5,64 А. Вычислить коэффициент теплопроводности этого кристалла, если скорость звука в нем s = 5•103 м/с. | 30 руб. | none |
5-310. Вычислить среднюю длину свободного пробега фононов в кристалле серебра при Т = 300 К, если коэффициент теплопроводности серебра c = 418 Вт/(м•К), а скорость распространения звука s = 3700 м/с. | 30 руб. | none |
5-311. В кварце при комнатной температуре длина свободного пробега фононов имеет порядок lф = 3•10-4 м, скорость звука s = 103 м/с. Оценить теплопроводность кварца. | 30 руб. | none |
5-312. Оценить длину свободного пробега фононов в германии при температуре 300 К, используя следующие данные: дебаевская температура германия Q = 360 К, коэффициент теплопроводности c = 80 Вт/(м•К), атомный вес равен 72,6, плотность р = 5500 кг/м3, средняя скорость звука s = 4500 м/с. Считать, что перенос тепла осуществляется только фононами. | 30 руб. | none |
5-313. Дебаевская температура алмаза Q = 2000 К. Вычислить отношение теплопроводности алмаза при температуре Т = 50 К к теплопроводности при 4 К, предполагая, что в обоих случаях преобладающим процессом рассеяния фононов является рассеяние на границах кристалла. | 30 руб. | none |
5-314. Рассчитать коэффициент теплопроводности при Т = 1 К кристаллического стержня диаметром 3 мм из синтетического корунда (Al2O3). Скорость звука в корунде s = 5000 м/с, его плотность р = 4000 кг/м3, дебаевская температура Q = 1000 К. | 30 руб. | купить |
5-315. Оценить максимально возможную величину коэффициента теплопроводности цилиндра диаметром d = 3 мм из кристаллического искусственного сапфира при температуре 30 К. Температура Дебая у сапфира Q = 100 К, скорость звука s = 104 м/с, а его теплоемкость при Т Q определяется выражением СV = 0,1Т3 Дж/(м3•К). | 30 руб. | none |
5-316. Фононы рассеиваются в кристалле на примесных центрах с поперечным сечением рассеяния s порядка геометрического (10-15 см2). Оценить фононную теплопроводность кристалла при температуре T = 30 К, если концентрация примесей в нем n = 1021 м-3, а скорость звука s = 3•103 м/с. При какой толщине кристалла начнет сказываться рассеяние фононов на границах? | 30 руб. | купить |
5-317. Одномерная цепочка состоит из атомов с массами m и М = 9m. Оценить относительный вклад в теплоемкость оптических колебаний атомов цепочки при температуре Т = Q/10, где Q — соответствующая температура Дебая. | 30 руб. | купить |
5-318. Найти с помощью соотношения неопределенностей число свободных электронов с энергиями в интервале (Е,E + dE) в металле при температуре Т = 0. Металл имеет форму прямоугольного параллелепипеда объемом V. При определении числа квантовых состояний электрона в данном интервале энергий считать, что физически различны только те состояния, у которых проекции импульса различаются не меньше чем на Dрх = 2пh/lx, lx — ребро «ящика» объема V (аналогично для Dру и Dpz). | 30 руб. | купить |
5-319. При каких условиях квантовомеханическая функция распределения Ферми-Дирака приближается к классической функции распределения частиц по энергии (распределению Больцмана)? | 30 руб. | none |
5-320. Оценить отношение средней потенциальной энергии взаимодействия двух электронов к энергии Ферми для металла, электроны которого наполовину заполняют зону проводимости. Концентрация атомов n = 3•10-3 м-3, эффективную массу электронов считать равной массе свободного электрона. | 30 руб. | купить |
5-321. При какой концентрации свободных электронов в кристалле температура вырождения электронного газа в нем равна 0°С? | 30 руб. | none |
5-322. Вычислить энергию Ферми при Т = 0 К для алюминия. Считать, что на каждый атом алюминия приходится три свободных электрона. | 30 руб. | none |
5-323. На какой высоте (в электронвольтах) от дна зоны проводимости находится уровень Ферми в одновалентном натрии, который содержит 2,5•1023 атомов/м3. Считать температуру Т = 0 К. | 30 руб. | none |
5-324. Найти разницу энергий (в единицах kБТ) между электроном, находящимся на уровне Ферми, и электронами, находящимися на уровнях, вероятности заполнения которых равны 0,20 и 0,80. | 30 руб. | none |
5-325. Какова вероятность заполнения электронами в металле энергетического уровня, расположенного на 0,001 эВ ниже уровня Ферми, при температуре 18°С? | 30 руб. | none |
5-326. Как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами энергетического уровня в металле, если уровень расположен на 0,01 эВ ниже уровня Ферми и температура изменяется от 200 до 300 К? | 30 руб. | none |
5-327. Определить, какая часть электронов проводимости в металле при Т = 0 К имеет кинетическую энергию, большую 0,5ЕF. | 30 руб. | none |
5-328. При какой температуре вероятность найти в проводнике электрон с энергией 0,5 эВ над уровнем Ферми равна 2%? | 30 руб. | none |
5-329. Электроны, находящиеся в тонком приповерхностном слое полупроводника, могут в определенных условиях рассматриваться как двумерный вырожденный электронный газ. Найти фермиевский импульс таких электронов, если их концентрация в расчете на единицу поверхности n = 1017 м-2. | 30 руб. | none |
5-330. Вычислить фермиевскую скорость носителей заряда в металле с одним электроном на элементарную ячейку и «одномерным» законом дисперсии Е = E0coskza, где Е0 = 0,5 эВ, а = 3 А. | 30 руб. | none |
5-331. Вычислить в модели свободных электронов при Т = 0 К плотность электронов вблизи уровня Ферми ЕF = 3 эВ. | 30 руб. | купить |
5-332. Найти интервал (в эВ) между соседними уровнями свободных электронов в металле при Т = 0 К вблизи верхнего заполненного уровня (энергии Ферми), если объем металла равен 1 см3, а концентрация свободных электронов n = 2•1028 м-3. | 30 руб. | купить |
5-333. Найти связь между концентрацией электронов n и энергией Ферми при Т = 0 К. | 30 руб. | none |
5-334. Чему равна максимальная энергия электронов в серебре, считая, что на каждый атом приходится по одному свободному электрону? | 30 руб. | none |
5-335. Определить число свободных электронов на атом меди и алюминия, граничные энергии для которых соответственно равны 7,04 и 11,7 эВ. | 30 руб. | none |
5-336. Давление электронного газа является одним из основных факторов, определяющих сжимаемость металлов. Найти сжимаемость и давление электронного газа для меди при температуре Т = 0 К, если концентрация электронов проводимости n = 8,5х1028 м-3. Эффективную массу считать равной массе свободного электрона. | 30 руб. | купить |
5-337. Сжимаемость щелочных металлов близка к сжимаемости электронного газа. Чему равен коэффициент сжимаемости металлического калия при Т = 0 К, если концентрация свободных электронов в этом металле n = 1,3•1028 м-3? | 30 руб. | none |
5-338. При увеличении всестороннего сжатия положение уровня Ферми в металле изменяется на 0,1%. Оценить, каково при этом относительное изменение дебаевской температуры кристалла Q. Скорость звука s считать постоянной. | 30 руб. | купить |
5-339. Для электронов с квадратичным законом дисперсии найти связь между их средней энергией и фермиевской энергией при температуре Т = 0 К. | 30 руб. | купить |
5-340. Вычислить среднюю кинетическую энергию свободных электронов в алюминии при Т = 0 К, если известно, что их максимальная энергия равна 11,7 эВ. | 30 руб. | none |
5-341. Металлический натрий при кристаллизации образует кубическую объемно-центрированную решетку с расстоянием между ближайшими атомами а = 3,7 А. Найти в модели свободных электронов среднюю кинетическую энергию электронов проводимости в этой решетке. | 30 руб. | none |
5-342. У дна зоны проводимости электроны обладают квадратичным законом дисперсии Е = Аk2, где константа А = 5•10-37 Дж•м2. Какова величина эффективной массы электронов? | 30 руб. | none |
5-343. Вычислить при Т = 0 К фермиевскую энергию, импульс и скорость электронов металла с изотропным квадратичным законом дисперсии электронов, эффективная масса которых равна 0,8 массы свободного электрона, а концентрация 1029 м-3. | 30 руб. | none |
5-344. Вывести формулу Ричардсона-Дешмана, определяющую плотность тока электронов, испускаемых термоэлектронным катодом J = AT2exp(-j/kБТ), где константа А = 4пmekБ2/h3 = 120 • 104 А/(м2К2). Величина j есть работа выхода, которая зависит от материала катода и от состояния поверхности материала и обычно выражается в эВ. | 30 руб. | купить |
5-345. Показать, что внешнее электростатическое поле Е уменьшает работу выхода на величину (еЕ/4пe0)1/2 эВ (эффект Шоттки). | 30 руб. | купить |
5-346. Насколько возрастет термоэлектронная эмиссия под действием приложенного к катоду электрического поля напряженностью 105 В/м, если рабочая температура катода 1000 К? | 30 руб. | купить |
5-347. Предположим, что анод и катод представляют собой плоскопараллельные пластины, расположенные на расстоянии d = 1 см друг от друга, и пространственный заряд не ограничивает величину тока. Температура катода равна Т = 2000 К. Какую разность потенциалов V надо приложить между катодом и анодом, чтобы эмиссионный ток увеличился на 10% по сравнению с формулой Ричардсона-Дешмана? | 30 руб. | купить |
5-348. Вычислить относительный вклад электронного газа в общую теплоемкость серебра при комнатной температуре. Считать, что на каждый атом приходится один свободный электрон и что теплоемкость серебра при данной температуре определяется законом Дюлонга и Пти. | 30 руб. | none |
5-349. Оценить решеточную и электронную теплоемкость серебра при температурах 300 К и 3 К. Дебаевская температура серебра Q = 220 К, электронную теплоемкость считать по модели свободных электронов. | 30 руб. | none |
5-350. Для типичных значений параметров металлов оценить температуру, при которой сравниваются электронная и решеточная теплоемкости. | 30 руб. | none |
5-351. В одновалентных металлах при комнатной температуре длина свободного пробега электронов lе = 10-3 м, скорость Ферми vF = 105 м/с, а СV = 0,1R. Какова величина теплопроводности, обусловленная электронами? | 30 руб. | none |
5-352. При Т = 300 К коэффициент теплопроводности германия равен 80 Вт/(м•К), а его удельное сопротивление составляет 10-2 Ом•м. Каково отношение его электронной теплопроводности к решеточной? | 30 руб. | none |
5-353. Удельное сопротивление сплава Ag + 1%Ni при температуре Т ~ 0 К равно р = 10-6 Ом•см. Постоянная решетки а = 3 А, решетку считать кубической, в зону проводимости каждый атом серебра отдает один электрон. Оценить величину сечения рассеяния электронов на атомах никеля. | 30 руб. | купить |
5-354. Длина свободного пробега электронов в тонких проволоках из чистых металлов при низких температурах практически определяется их диаметром. Оценить, какова в этих условиях при Т = 10 К эффективная удельная электропроводность медной проволоки диаметром d = 0,1 мм. | 30 руб. | none |
5-355. Оценить удельное сопротивление металла с А = 100 при температуре Т = 300 К, считая, что радиус эффективного рассеяния электронов на фононах порядка амплитуды тепловых колебаний атомов, фермиевская скорость vF = 3•106 м/с, температура Дебая Q = 200 К. | 30 руб. | none |
5-356. Образец высокочистой меди имеет остаточное сопротивление 10-10 Ом•м, но при введении 0,1 атомного % ионов Cd2+, оно увеличивается до 5 • 10-10 Ом•м. Оценить, каково будет удельное сопротивление меди, если ввести 0,1 ат. % In3+ или Sn4+. Указание. При низких температурах сопротивление металла, обусловленное примесными ионами, пропорционально (DZ)2, где DZ — разница валентности примесных ионов и ионов металла. | 30 руб. | none |
5-357. Энергия Ферми алюминия равна 12 эВ, а его удельное сопротивление при Т = 300 К равно 3•10-8 Ом•м. Чему равна длина свободного пробега электронов проводимости и их дрейфовая скорость в поле напряженностью 1000 В/м? Атомный вес алюминия равен 27, плотность 2700 кг/м3. | 30 руб. | none |
5-358. Твердый водород является диэлектриком, плотность которого при нормальном давлении равна 76 кг/м3. Чтобы водород стал металлом, его энергия Ферми должна быть равной потенциалу ионизации. При каком давлении возможен переход водорода в металлическое состояние? Какой плотности это соответствует? | 30 руб. | none |
5-359. Современная технология позволяет методом молекулярной эпитаксии наносить на диэлектрическую подложку металлические проводники шириной d в несколько нанометров. Электроны движутся в таких проводниках практически без рассеяния и поэтому они фактически являются волноводами для электронных волн, и поэтому даже при Т = 0 К проводимость мостика при достаточно малой концентрации электронов оказывается равной нулю. Начиная с каких значений поверхностной плотности электронов n сопротивление такого мостик | 30 руб. | купить |
5-360. При сближении атомов возможен туннельный переход наружных электронов из одного атома в другой, что приводит к уширению уровней (образованию зон в твердом теле). Считая, что электрон находится в прямоугольной потенциальной яме шириной а = 2rБ ~ 1А на глубине, равной энергии ионизации U0 = 10 эВ, а ширина барьера d равна среднему расстоянию между атомами, оценить энергетическое уширение в кристалле с d = 1 А. | 30 руб. | купить |
5-361. Ширина запрещенной зоны полупроводника равна 1 эВ. Какова вероятность заполнения электроном уровня вблизи дна зоны проводимости при температуре 290 К? Увеличится ли эта вероятность, если на полупроводник действует электромагнитное излучение с длиной волны 1,0 мкм; 2,0 мкм? | 30 руб. | none |
5-362. Хотя для простых собственных полупроводников энергия Ферми практически не зависит от температуры, небольшой по величине поправочный член надо вводить. Покажите, что энергия Ферми может быть записана в виде ЕF = (Ес + Ev) + аТ, где Ес и Ev энергии дна зоны проводимости и потолка валентной зоны соответственно, а а — константа. Предположите, что плотности состояний в полосах разрешенных значений энергии электронов имеют зависимость А(Е - Ес)1/2 и В(Е - Еv)1/2 соответственно. (БЕЗ ОТВЕТА и БЕЗ РЕШ | 30 руб. | none |
5-363. В образце очень чистого германия край непрерывного оптического поглощения при Т = 300 К соответствует l-1 = 5,5 х 105 м-1. Оцените, насколько надо увеличить температуру, чтобы при этом электропроводность возросла на 20%. | 30 руб. | none |
5-364. Найти минимальную энергию, необходимую для образования пары электрон-дырка в кристалле GaAs, если его электропроводность изменяется в 10 раз при изменении температуры от +20 до -3°С. | 30 руб. | none |
5-365. В образец кремния внесено 10-4 атомных процентов атомов фосфора (доноров), которые при комнатной температуре оказываются все однократно ионизованными. Измерения подвижности электронов показали, что она составляет 0,15 м2/(В•с). Рассчитайте, каково собственное удельное сопротивление кремния. Плотность кремния равна 2300 кг/м3, его атомный вес равен 28. | 30 руб. | none |
5-366. Образец германия n-типа содержит 1023 ионизованных доноров в 1 м3. Оценить отношение сопротивления этого образца при комнатной температуре к сопротивлению германия высокой чистоты. | 30 руб. | none |
5-367. В антимониде индия эффективная масса электрона примерно равна 0,01 массы электрона, а диэлектрическая постоянная равна 17. Оценить энергию ионизации донорных атомов и радиус электронной орбиты. | 30 руб. | none |
5-368. Полупроводник допирован как донорньми атомами (1022 м-3), так акцепторными (5 • 1021 м-3), причем их энергетические уровни расположены на расстоянии 10-2 эВ от потолка и дна запрещенной зоны соответственно. Подвижность носителей равна 0,2 м2/(В•с). Каково сопротивление этого образца при температуре 20 К? Указание. Когда в полупроводнике имеется как n- так и р-типа примеси происходит так называемый эффект компенсации, т.е. доноры ионизуют акцепторы и тем самым уменьшается их эффективное число. | 30 руб. | none |
5-369. Полупроводниковый кристалл объемом 1 мм3 дотирован 1022 атомами донора в 1 м3, чтобы его можно было использовать в качестве детектора инфракрасного излучения с величиной l = 104 м-1 за счет переброса носителей через щель величиной 10-2 эВ. Время жизни носителей равна 10-2 с, детектор охлаждается до 4 К. Оценить, во сколько раз изменится сопротивление полупроводника при облучении его мощностью 10-2 Вт. Считать, что в детекторе падающее излучение полностью поглощается. | 30 руб. | none |
5-370. Красная граница внешнего фотоэффекта сурьмяно-цезиевого фотокатода (при очень низкой температуре) соответствует l1 = 0,65 мкм, а красная граница фотопроводимости — l2 = 2,07 мкм. Определить в эВ положение дна зоны проводимости данного полупроводника относительно вакуума. | 30 руб. | none |
5-371. Ширина запрещенной зоны у германия равна 0,7 эВ. Насколько изменяется концентрация свободных носителей при увеличении температуры от комнатной (27°С) до 50°С? | 30 руб. | купить |
5-372. Удельное сопротивление чистого кремния при комнатной температуре равно 1000 Ом•м, ширина запрещенной зоны D = 1,1 эВ. Предполагая, что эффективные плотности состояний и подвижности носителей не зависят от температуры, найти величину сопротивления кремния при температуре 50°С. | 30 руб. | купить |
5-373. Оценить отношение электронной теплоемкости чистого германия к его решеточной теплоемкости при температуре 1000 К. Считать, что концентрация электронов проводимости ne = 1,5•1024 м-3, ширина запрещенной зоны D = 0,7 эВ, дебаевская температура Q = 540 К, плотность атомов N = 5•1028 м-3. | 30 руб. | купить |
5-374. Длинноволновый край полосы поглощения чистого германия лежит вблизи длины волны l0 = 19 мкм. Оценить отсюда ширину запрещенной зоны германия (в эВ). | 30 руб. | none |
5-375. Германиевое фотосопротивление освещают монохроматическим излучением, равномерно поглощаемом во всем объеме. Удельное сопротивление образца равно 45 Ом•см, концентрация электронов и дырок повышается вследствие освещения на 1017 м-3. Подвижности электронов и дырок равны me = 0,38 м2/(В•с) и mp = 0,18 м2/(В•с). Каково относительное изменение электропроводности пластинки германия? | 30 руб. | none |
5-376. Найти минимальную энергию, необходимую для образования пары электрон-дырка в чистом теллуре, если известно, что его электропроводность возрастает в h = 5,2 раза при увеличении температуры от Т1 = 300 К до Т2 = 400 К. | 30 руб. | none |
5-377. Вычислить удельное сопротивление полупроводника n-типа при температуре Т = 50 К, если известно, что концентрация донорных атомов n = 5•1023 м-3, энергия их активации Еd = 0,1 эВ, подвижность электронов b = 0,05 м2/(В•с). | 30 руб. | none |
5-378. (р-n)-переход изготовлен из материала, характеризующегося при температуре Т = 300 К концентрацией собственных носителей ni = 2 • 1017 м-3. Концентрации доноров и акцепторов по обе стороны перехода одинаковы равны n = 6•1023 м-3. Определить величину потенциального барьера на переходе. | 30 руб. | купить |
5-379. При комнатной температуре и при прямом смещении 0,15 В через (р-n)-переход течет ток I = 1,66 мА. Какой ток пойдет через переход при обратном смещении? | 30 руб. | none |
5-380. При приложении к полупроводниковому диоду обратного смещения ток через диод обладает свойством насыщения. Каков механизм возникновения этого тока? Как изменится ток насыщения при понижении температуры от 20 до 0°С? Диод изготовлен из материала с шириной запрещенной зоны Еg = 0,7 эВ. | 30 руб. | купить |
5-381. Сопротивление (р-n)-перехода при малых напряжениях R = 400 Ом, а площадь S = 0,5 см2. Оценить максимальную плотность обратного тока (тока насыщения) при температуре Т = 300 К. | 30 руб. | купить |
5-382. Оценить, при какой температуре начнет исчезать эффект выпрямления в полупроводниковом диоде, у которого ширина запрещенной зоны Eg = 1 эВ, концентрации примесей по обе стороны перехода nпр = 1023 м-3, а концентрация свободных носителей при температуре Т0 = 300 К равна ni = 2•1017 м-3. | 30 руб. | купить |
5-383. Холловский датчик для измерения магнитного поля изготовлен в виде кубика, подвижность носителей равна 0,5 м2/(В•с). Какое должно быть приложено напряжение, чтобы в поле 10-4 Тл холловская разность потенциалов была равна 1 мВ? | 30 руб. | none |
5-384. Вычислить величину ЭДС Холла, возникающую при пропускании тока 100 мА через пластинку из металлического натрия в поле 0,1 Тл. Ширина образца, вдоль которой измеряется холловское напряжение и перпендикулярно которой приложено магнитное поле, равна l = 1 мм. Решетка Na — объемноцентрированный куб со стороной 4,28 А. | 30 руб. | none |
5-385. Вычислить удельную проводимость кристалла кремния, если константа Холла для него RH = -2,7•10-4 м3/Кл. | 30 руб. | none |
5-386. При каких условиях в полупроводнике, имеющем свободные носители заряда, тем не менее не наблюдается эффект Холла? | 30 руб. | none |
5-387. Определить подвижность в [см2/(В•с)] электронов в германии n-типа, у которого удельное сопротивление р = 1,7 Ом•см, а постоянная Холла RH = 7•10-17 СГСЭ. | 30 руб. | none |
5-388. Определить знак, концентрацию и подвижность свободных носителей заряда в полупроводниковом образце, который обладает примесной проводимостью и сопротивлением 338 Ом. При токе 50 мА и магнитной индукции 0,1 Тл холловская разность потенциалов в образце равна 200 мВ. Размеры образца: толщина b = 0,1 мм, ширина d = 5 мм. | 30 руб. | none |
5-389. Пластинка из полупроводника р-типа шириной d = 1 см и длиной l = 3 см помещена в однородное магнитное поле напряженностью Н = 0,5 Тл. К концам пластинки (вдоль ребра с размером l) приложено постоянное напряжение U = 180 В. При этом поперечная холловская разность потенциалов оказалась равной V = 5 мВ. Определить концентрацию и подвижность дырок в данном полупроводнике, удельное сопротивление которого р = 0,03 Ом•м. | 30 руб. | none |
5-390. Константа Холла у алюминия равна -0,3•10-10 В•м/(А•Тл). Сколько электронов от каждого атома принимают участие в проводимости? Плотность алюминия 2700 кг/м3, атомный вес 27. | 30 руб. | none |
5-391. По цилиндрическому проводу протекает ток, плотность которого j однородна по сечению проводника. Концентрация электронов проводимости равна n. Пренебрегая сопротивлением и учитывая поле Холла, определить величину и направление вектора Пойнтинга в проводнике в зависимости от расстояния до оси r. Считать, что е = m = 1. | 30 руб. | купить |
5-392. В квазиодномерном электронном газе, образующегося в МДП-структурах (металл-диэлектрик-полупроводник) или гетероструктурах (в последнем случае это, как правило, GaAs), при низких температурах и в сильных магнитных полях наблюдается целочисленный квантовый эффект Холла (ЦКЭХ). Сущность этого эффекта состоит в том, что в зависимости холловского сопротивления от магнитного поля наблюдаются последовательные ступеньки (холловские плато), причем величина холловского сопротивления на этих плато пропорци | 30 руб. | none |
5-393. Холловское сопротивление МДП-структуры в магнитном поле В = 2,5 Тл равно RX = 4,3 кОм. Какова плотность электронов? | 30 руб. | купить |
5-394. Для наблюдения дробного квантового эффекта Холла, при котором фактор заполнения оказывается не целым, а дробным числом, необходимо, чтобы кулоновское взаимодействие U между электронами было существенно больше их кинетической энергии Е. Оценить, насколько надо изменить плотность электронов в двумерном электронном газе, чтобы отношение U/E увеличилось в 10 раз? | 30 руб. | купить |
5-395. В 1911г. Г. Камерлинг-Оннес при измерении сопротивления ртути, охлаждаемой жидким гелием, обнаружил, что при откачке паров гелия из криостата сопротивление ртути исчезает. Так было открыто явление сверхпроводимости. Вычислить, до какого давления надо было откачивать пары гелия, если при давлении рк = 1 атм температура кипения гелия Тк = 4,22 К, теплота испарения при этом давлении q = 84 Дж/моль, а критическая температура сверхпроводящего перехода ртути Тс = 4,15 К. | 30 руб. | купить |
5-396. При каком напряжении V начнет течь ток через туннельный переход металл-изолятор-сверхпроводник, если Тс = 92 К, а измерения проводятся при Т Тс? | 30 руб. | купить |
5-397. Из широкой сверхпроводящей ленты был свернут длинный цилиндр радиусом а = 1 см и края ленты сварены вдоль образующей. Измерения показали, что электрический контакт в месте сварки оказался не очень хорошим, поскольку за один час ток в кольце уменьшался на 1%. Каково сопротивление R единицы длины сварного шва? | 30 руб. | купить |
5-398. В 1964 г. Крибье с сотрудниками с помощью упругого рассеяния нейтронов на ниобии экспериментально подтвердил, что в сверхпроводниках II рода в магнитном поле В > Вс1 образуется треугольная вихревая решетка Абрикосова. В опытах наблюдался максимум первого порядка в отражении нейтронов с длиной волны l = 5 А под углом q = 20 по отношению к падающему пучку от плоскостей, разделенных расстоянием h (высота равностороннего треугольника структуры). В каком магнитном поле проводился эксперимент? | 30 руб. | купить |
5-399. Точечный магнитный диполь с магнитным моментом m = 1 А•м2 висит над поверхностью сверхпроводника I рода (температура Т ~ 0 К), у которого критическое магнитное поле Вс = 0,05 Тл. Ось диполя перпендикулярна плоскости. Какова максимально допустимая масса m диполя? | 30 руб. | купить |
